當前，全球半導體產業正處于技術迭代與格局重塑的關鍵時期，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體在新能源汽車、服務器電源、光伏儲能、高密度電源等領域有著廣泛的應用。10月14日，正值第56個世界標準日，由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟標準化委員會、廣電計量主辦，無錫廣電計量承辦的半導體功率器件標準與檢測研討會在無錫順利舉行，匯聚行業權威專家，分享前沿技術議題，以標準引領技術創新，質量護航“中國芯”崛起。
標準引領：標準成為產業整體發展戰略的重要部分
會議現場
活動以“創‘芯’賦能 標準筑基”為主題，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副理事長兼秘書長、中國科學院半導體研究所原副所長楊富華，廣電計量黨委副書記、總經理明志茂出席活動并致辭，無錫市新吳區科學技術協會副主席張少波，來自半導體產業鏈上下游的技術專家、高校學者、企業代表約150人參會。廣電計量總經理助理、無錫廣電計量總經理儲程晨作開場主持。
楊富華在致辭中強調，標準已從傳統意義上的產品互換和質量評判的依據，上升為產業整體發展戰略的重要組成部分，成為事關產業發展的基礎性、先導性和戰略性工作。希望以標準為引領，以創新為驅動，共同構建開放、共享、可持續的第三代半導體產業生態體系。
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副理事長兼秘書長、中國科學院半導體研究所原副所長楊富華致辭
明志茂在致辭中表示，廣電計量將積極推動新技術、新方法、新工具、新標準和新體系的“五新”能力構建，加強半導體全鏈條標準化體系建設，同時推動“AI+檢測”深度融合，構建覆蓋半導體全生命周期的數字化質量保障服務平臺，為第三代半導體產業從材料創新到終端產品升級全程保駕護航。
廣電計量黨委副書記、總經理明志茂致辭
廣電計量總經理助理、無錫廣電計量總經理儲程晨作開場主持
干貨滿滿：大咖匯聚為行業發展建言獻策
研討會主題緊扣半導體國家戰略，匯聚復旦大學、上海交通大學、西安交通大學、東南大學、電子科技大學、華北電力大學、廣東工業大學、中電科五十五所、深圳平湖實驗室、廣電計量、忱芯科技、飛仕得等半導體產業上下游權威專家，分享SiC、GaN功率器件標準與檢測等技術議題，為促進功率電子的規模應用，服務新興市場開拓注入“智慧力量”。其中，廣電計量集成電路測試與分析事業部副總經理李汝冠作《支撐新興市場開拓的SiC MOSFET標準體系布局與應用實施》主題分享。
東南大學副教授魏家行作《碳化硅功率MOS器件及可靠性研究進展》主題分享
中電科五十五所高級工程師張國斌作《面向模塊應用的SiC MOSFET芯片測試篩選技術》主題分享
杭州飛仕得設備事業部首席技術官劉偉作《SiC MOSFET功率器件可靠性篩選方法與解決方案》主題分享
華北電力大學副教授李學寶作《碳化硅器件芯片級電流測量方法及應用》主題分享
上海交通大學副教授王亞林作《T/CASAS 061 SiC MOSFET模塊局部放電試驗方法》主題分享
廣電計量集成電路測試與分析事業部副總經理李汝冠作《支撐新興市場開拓的SiC MOSFET標準體系布局與應用實施》主題分享
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副秘書長兼標準化委員會秘書長高偉擔任上午場主持
忱芯科技總經理毛賽君作《《碳化硅功率器件 dv/dt 魯棒性評估指南》IEC CDV 63672 ED1 解讀 & SiC MOSFET HTFB測試挑戰與解決方案》主題分享
復旦大學研究生項載滿作《SiC MOSFET浪涌可靠性及失效分析研究》主題分享
復旦大學研究生羅濤作《SiC MOSFET雪崩失效機理分析和仿真研究》主題分享
電子科技大學教授陳萬軍作《GaN功率器件研究與可靠性進展》主題分享
西安交通大學副教授周翔作《GaN器件電源模塊的管理芯片發展趨勢》主題分享
廣東工業大學教授賀致遠作《P-GaN HEMT動態閾值電壓測試方法》主題分享
深圳平湖實驗室工程師王小明作《P-GaN HEMT功率器件短路試驗方法》主題分享
無錫廣電計量副總經理陳振擔任下午場主持人
參觀實驗室
此外，與會嘉賓分批參觀了無錫廣電計量實驗室，深入了解廣電計量在集成電路與失效分析等領域的技術實力和服務能力。
在半導體領域，廣電計量是國內領先的半導體質量評價與可靠性解決方案提供商，公司聚焦先進半導體及超大規模集成電路國產自主可控需求，構建性能功能測試、可靠性及失效機理分析評估、芯片設計與制程分析、質量等級認證、功能安全評估和量產與批產測試篩選等全棧式檢測與技術咨詢服務能力。
未來，廣電計量將持續深耕半導體材料及器件領域，加強產業鏈上下游協同合作，著力構建“產學研檢用”深度融合的產業生態，以技術之力為產業鏈賦能，加速推動我國第三代半導體自主可控和國產化進程。